中国对存储产业的支持力度加大，过去几年取得了长足进步，据悉，在NAND存储领域，YMTC与韩企的差距已缩短至2年，双方差距正在快速地消失中。
中国在DRAM 技术方面与三星、SK 海力士等领先企业仍存在5年以上的差距。其中主要原因在于NAND存储技术的壁垒相对低一些，使得中国追赶速度不断加快，因此差距缩小得更为明显。
其中，中国最大的存储半导体企业YMTC，在2022年发布了基于晶栈3.0（Xtacking 3.0）架构的第4代3D TLC存储芯片，名为X3-9070。
YMTC也领先于三星和SK海力士，实现了更高层数的NAND存储芯片的量产，回击了外界质疑的声音。
去年一年，中国存储业者来自政府与官方主导投资基金投入近人民币500亿，持续且大量的资金投入支援确实能取得效果，一方面是技术的追赶，另一方面是更快的市场渗透。
随着半导体电路小型化逼近极限，中国可能会抓住另一个缩小技术差距的机会，就是先进封装技术。这种高性能、多芯片的封装被视为突破半导体小型化限制的关键。
目前中国是全球第二大封装技术市场，有着较为完善的生态系统，长电科技、通富微电和华天科技都进入了全球10大半导体封装企业的前10名，而韩国没有一间公司出现在榜单上。
前不久YMTC在美国加州法院，控告美光科技及全资子公司美光消费产品公司侵犯其专利。YMTC表示，美光使用YMTC的专利技术，以抵御来自YMTC的竞争，并获得和保护市场占有率。这等于是直接展示了中国厂商在NAND存储上突飞猛进的进步成果。
